單極霍爾開關
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產品說明 規格參數
YY119廣泛應用于開環霍爾效應電流傳感器、鉗流表
GaAs砷化鎵作為第二代半導體，其電子遷移率比硅高6倍，砷化鎵成為超高速、超高頻器件和集成電路的必需品。砷化鎵單晶因其價格昂貴而素有“半導體貴族”之稱，制成的半導體器件相對于傳統的硅半導體具有高頻、高溫、低溫性能好、噪聲小、抗輻射能力強等優點，這就使得使用該材料制作的霍爾線性器件具有更高的可靠性和穩定性，更適合用于安全性、速度要求更高的領域(諸如安防、精密設備制造等)。
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